对BIOS设置进行清理,轻松解决花屏的解决

　　在玩一个３Ｄ游戏时，出现了花屏现象，但是超频前玩这款游戏时却没有出现花屏哦。超频前正常，而超频后只进行过清空ＢＩＯＳ的操作，难道与清空ＢＩＯＳ设置有关？仔细检查集成显卡的设置选项，都没有问题哦。

　　在检查内存参数设置时，发现“ＣＡＳ Ｌａｔｅｎｃｙ Ｔｉｍｅ”被默认设置为３，“Ａｃｔｉｖｅ ｔｏ Ｐｒｅｃｈａｒｇｅ Ｄｅｌａｙ”被默认设置为５，“ＤＲＡＭ ＲＡＳ＃ ｔｏ ＣＡＳ＃ Ｄｅｌａｙ”被默认设置为为３，“ＤＲＡＭ ＲＡＳ＃ Ｐｒｅｃｈａｒｇｅ”被默认设置为３。终于明白了原因，原来在清空ＢＩＯＳ设置后，系统所默认设置的内存参数较低，而集成显卡在运行时要调用系统内存，特别是在运行大型３Ｄ游戏时，对内存要求较高。于是把“ＣＡＳ Ｌａｔｅｎｃｙ Ｔｉｍｅ”设置为２，“Ａｃｔｉｖｅ ｔｏ Ｐｒｅｃｈａｒｇｅ Ｄｅｌａｙ”设置为５，“ＤＲＡＭ ＲＡＳ＃ ｔｏ ＣＡＳ＃ Ｄｅｌａｙ”设置为２，“ＤＲＡＭＲＡＳ＃ Ｐｒｅｃｈａｒｇｅ”设置为２，保存后进入Ｗｉｎｄｏｗｓ，运行刚才的３Ｄ游戏，果然没有出现花屏了。

主流DDR400内存时序参数的意义与设定方法

大家在购买内存时往往会注意到内存的标签上往往帖有“3-4-4-8”或“3-8-4-4”这类数字，这些数字就是内存SPD设定的时序参数，举例来说在标识为“3-4-4-8”的参数下分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。下面我们将着重介绍这四个参数的意义与设定方法。

SPD＝Serial Presence Detect，配置（存在位）串行探测芯片，主要用来存放内存的配置信息，如Bank数量、电压、行地址/列地址数量、位宽、各种主要操作时序的设定参数（如CL、tRCD、tRP、tRAS等），一般说来内存的SPD设定参数比较保守，但工作稳定。普通用户或硬件菜鸟在使用内存时，无需了解那些复杂内存时序参数的含义，仅需在Bios里将内存参数设置为“By SPD”就可放心使用，而玩家或发烧友要想达到系统性能最优化的话，则需将BIOS设置为“EXPERT”或“Manual”进行手动调节。

CAS Latency Control(“3-4-4-8”中的第1个参数，即CL参数。也被描述为tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency是“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”。CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为CAS主要控制十六进制的地址，或者说是内存矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳定的前提下应该尽可能设低。内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRAS（Activeto Precharge Delay），预充电后，内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）开始进行需要数据的寻址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。

这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。这个参数越小，则内存的速度越快。必须注意部分内存不能运行在较低的延迟，可能会丢失数据，因此在提醒大家把CAS延迟设为2或2.5的同时，如果不稳定就只有进一步提高它了。而且提高延迟能使内存运行在更高的频率，所以需要对内存超频时，应该试着提高CAS延迟。

该参数对内存性能的影响最大，在保证系统稳定性的前提下，CAS值越低，则会导致更快的内存读写操作。CL值为2为会获得最佳的性能，而CL值为3可以提高系统的稳定性。注意，WinbondBH-5/6芯片可能无法设为3。

RAS# to CAS# Delay(tRCD)

可选的设置：Auto, 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7

该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的第2个参数，即第1个4。RAS# to CAS# Delay(也被描述为：tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD)，表示“行寻址到列寻址延迟时间”，数值越小，性能越好。对内存进行读、写或刷新操作时，需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。在JEDEC规范中，它是排在第二的参数，降低此延时，可以提高系统性能。

建议该值设置为3或2，但如果该值设置太低，同样会导致系统不稳定。该值为4时，系统将处于最稳定的状态，而该值为5，则太保守。如果你的内存的超频性能不佳，则可将此值设为内存的默认值或尝试提高tRCD值。

Row Precharge Timing(tRP)

可选的设置：Auto, 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7

该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的第3个参数，即第2个4。Row Precharge Timing (也被描述为：tRP、RAS Precharge、Precharge to active)，表示“内存行地址控制器预充电时间”，预充电参数越小则内存读写速度就越快。

tRP用来设定在另一行能被激活之前，RAS需要的充电时间。tRP参数设置太长会导致所有的行激活延迟过长，设为2可以减少预充电时间，从而更快地激活下一行。然而，想要把tRP设为2对大多数内存都是个很高的要求，可能会造成行激活之前的数据丢失，内存控制器不能顺利地完成读写操作。

tRP值建议2-5之间的值。值为2将获取最高的性能，该值为4将在超频时获取最佳的稳定性，同样的而该值为5，则太保守。大部分内存都无法使用2的值，需要超频才可以达到该参数。

Min RAS Active Timing(tRAS)

可选的设置：Auto, 00, 01, 02, 03, 04, 05, 06, 07, 08, 09, 10, 11, 12, 13, 14, 15.

该值就是该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的最后一个参数，即8。Min RAS Active Time (也被描述为：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time)，表示“内存行有效至预充电的最短周期”，调整这个参数需要结合具体情况而定，一般我们最好设在5－10之间。

注意：这个参数要根据实际情况而定，并不是说越大或越小就越好。

如果tRAS的周期太长，系统会因为无谓的等待而降低性能。如果tRAS的周期太短，则可能因缺乏足够的时间而无法完成数据的突发传输，这样会引发丢失数据或损坏数据。该值一般设定为CAS latency + tRCD + 2个时钟周期（具体加几个时钟周期，要根据内存品质而定，超值版内存一般加3～4个时钟周期，普通内存一般加2个时钟周期，超频版内存加1.5个时钟周期，发烧级内存加0.5～1个时钟周期）。如果你的CAS latency的值为2，tRCD的值为3，则最佳的tRAS值应该设置为7个时钟周期。

另外我们还为玩家提供一个比较确定Made By PCShow.net的tRAS值确定方法，在CAS Latency、TRCD、TRP这三个参数值确定的情况下，从“05～15”改变tRAS的值，通过采用MEMTEST 3.2这个软件来观察在哪个最小数值下可以获得“05～15”间的最大内存带宽，那么tRAS这个参数就采用该数值。

除了这四个比较重要的内存时序参数外，要想完全发挥内存参数还需调节Command Per Clock(CPC：指令比率，也有翻译为：首命令延迟)、DQS Skew Control（“DQS时间差控制”）、Max Async Latency（最大异步延迟）等重要性也很高的参数，在这里我们就不详细介绍了，如果你想了解详细的内存参数调校方法，请查看我们的这篇文章 。

另外，需要玩家注意的是，只有少数主板具备丰富的内存时序调节能力，大多数普通主板的BIOS仅具备CL-tRCD-tRP-tRAS与Command Per Clock等参数的调节项目，要想完全发挥最大内存性能，只有购买像DFI或EPOX（磐正）这些BIOS内存调节项目非常丰富的主板。

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