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内存芯片的识别

答案:

---- 许多朋友都会遇到这样一个问题,在购买内存时不知如何识别内存的品牌、类型、容量、速度等参数。许多人都认为内存不经过主板或专用检测仪检测难于识别,在此我们特为大家提供如下解读内存条的方法。鉴于篇幅限制,这里仅以市场上最常见的现代内存、LG内存以及KingMax内存为例进行说明。

一、现代SDRAM内存芯片的识别

---- 现代(HYUNDAI)公司的SDRAM内存芯片上的标识格式如下:

HY

5X

X

XXX

XX

X

X

X

X

XX

-

XX

---- “HY”表明是现代的产品。

---- ①代表的是内存芯片种类: “51”为EDO,“57”为SDRAM,“5D”为DDR SDRAM。

---- ②代表工作电压: “U”为2.5V,“V”为3.3V,空白代表5V。

---- ③代表一个内存芯片的密度和刷新速度: 其编号与密度及刷新速度的对应关系如表1所示。

内存芯片的识别(图一)

---- ④代表芯片输出的数据位宽: 其中“40”、“80”、“16”和“32”分别代表输出数据位宽为4位、8位、16位和32位。

---- ⑤代表内存芯片内部由几个Bank组成: 其中“1”、“2”、“3”分别代表2个、4个和8个Bank。

---- ⑥代表内存接口: 一般为“0”,代表LVTTL接口。

---- ⑦代表内存版本号: 空白代表第一代,“A”代表第二代、“B”代表第三代、“C”代表易做图、“D”代表第五代。

---- ⑧代表功耗: 其中“L”代表低功耗的芯片,空白表示为正常功耗芯片。

---- ⑨代表封装类型: 其编号与封装类型的对应关系如下:

“JC”: 400mil SOJ
“TC”: 400mil TSOP-Ⅱ
“TD”: TSOP-Ⅱ
“TG”: TSOP-Ⅱ, GOLD

---- ⑩代表速度: 其编号与速度的对应关系如下:

“7”: 7ns(143MHz)
“8”: 8ns(125MHz)
“10p”: 10ns(PC-100 CL2或3)
“10s”: 10ns(PC-100 CL3)
“10”: 10ns(100MHz)
“12”: 12ns(83MHz)
“15”: 15ns(66MHz)

二、LG SDRAM内存芯片的识别

---- LG公司的SDRAM内存芯片上的标识格式如下:

GM72V

XX

XX

X

X

X

X

X

XX

---- “GM”代表LG的产品。

---- “72”代表SDRAM。

---- “V”代表工作电压为3.3V。




[page_break] ---- ①代表一个内存芯片的密度和刷新速度: 其编号与密度及刷新速度的对应关系如表2所示。

内存芯片的识别(图二)

---- ②代表数据位宽: 其中“4”、“8”、“16”分别代表4位、8位、16位等。

---- ③代表内存芯片内部Bank: 其中“2”表示2个Bank,“4”表示4个Bank。

---- ④代表内存接口: “1”代表LVTTL。

---- ⑤代表内核版本。

---- ⑥代表功耗: 其中“L”代表低功耗,空白则代表常规功耗。

---- ⑦代表封装类型: “T”表明是TSOP-Ⅱ封装,如果是“I”则代表BLP封装。

---- ⑧代表速度: 其编号与速度的对应关系如下:

“75”: 7.5ns(133MHz)
“8”: 8ns(125MHz)
“7K”: 10ns(PC-100 CL2或3)
“7J”: 10ns(100MHz)
“10K”: 10ns(100MHz)
“12”: 12ns(83MHz)
“15”: 15ns(66MHz)

三、KingMax SDRAM内存芯片的识别

---- KingMax公司的SDRAM内存芯片上的标识格式如下:

KM

X

XX

S

XX

X

X

X

X

X

-

X

XX

---- “KM”表示KingMax的产品。

---- ①代表内存芯片种类: “4”代表DRAM。

---- ②代表内存芯片组成个数: “4”代表×4,“8”代表×8,“16”代表×16。

---- “S”表明是SDRAM。

---- ③代表一个内存芯片密度: “1”代表1Mbit,“2”代表2Mbit,“4”代表4Mbit,“8”代表8Mbit,“16”代表16Mbit。

---- ④代表刷新速度: “0”代表4K Ref,“1”代表2K Ref,“2”代表8K Ref。

---- ⑤代表内存芯片内部由几个Bank组成: “2”代表2个Bank,3代表4个Bank。

---- ⑥代表内存接口: “0”代表LVTTL,“1”代表SSTL。

---- ⑦代表内存版本: 空白代表第1代,“A”代表第2代,“B”代表第3代。

---- ⑧代表封装类型: “T”代表封装类型为TSOP-Ⅱ。

---- ⑨代表电源供应方式: “G”代表自动刷新,“F”代表低电压自动刷新。

---- ⑩代表最少存取周期(最高频率): 其编号与速度的对应关系如下:

“7”: 7ns(143MHz)
“8”: 8ns(125MHz)
“10”: 10ns(100MHz)
“H”: 100MHz@CAS值为2
“L”: 100MHz@CAS值为3

---- 例如内存标识为“KM416S16230A-G10”指的是KingMax的16Mbit×16 =256Mbit SDRAM内存芯片,刷新为8K Ref,内存Bank为3,内存接口为LVTTL,第2代内存,自动刷新,速度是10ns(100MHz)。

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