答案:
同样的CPU,同样的频率设置,为什么别人的运行效率就比我的高呢?为什么高手能以较低CPU频率跑出更好的测试成绩呢?问题的关键就是内存参数的调校。在一般的超频中,只会调整一些基本参数,比如某超频报告中会说到内存运行状态为 "520MHz、3-4-4-8 1T",那么除频率外后5个数字就是基本参数。还有一系列参数被称之为"小参",能起到辅助调节作用,当调节基参后仍无法提高频率,或者性能提升不明显后,调整"小参"往往会得到令人意外的惊喜。以下我们根据基本参数与小参分别介绍调校方法。
基本参数介绍
目前的内存还是使用类电容原理来存储数据,需要有充放电的过程,这个过程所带来的延迟是不可避免的。在BIOS中,所有关于内存调节的参数其实都是在调整这个充放电的时序。受颗粒品质影响,每种内存的参数几乎都不完全一样。面对这些参数,我们必须先了解其原理才能在以后的调节中做到信手拈来。以下我们讲解一些重点参数的含义。
CL
CL全称CAS Latency,是数据从存储设备中输出内存颗粒的接口之间所使用的时间。一般而言是越短越好,但受于制造技术和内存控制器所限,目前的最佳值是2。
从图中,我们能够直观的看到CL值变化,对数据处理的影响。虽说在单周期内的等待的时间并不长;但在实际使用时,内存每秒要400M次以上的周期循环,此时的性能影响就相当明显了。
RAS与CAS
内存内部的存储单元是按照行(RAS)和列(CAS)排成矩阵模式,一个地址访问指令会被解码成行和列两个信号,先是行地址信号,然后是列地址信号,只有行和列地址都准备好之后才可以确定要访问的内存单元。因此内存读写第一个延迟是RAS到CAS的延迟,从行地址访问允许到读、写数据还有一个准备时间,被称为RAS转换准备时间。这也就是为什么RAS to CAS参数对性能影响要大于RAS Precharge的原因。
Tras
内存预充电和有效指令之间的时间差。对于DDR内存而言,一般是预充电命令至少要在行有效命令50000ns(BIOS中显示为5)之后发出,标准是在70000ns~80000ns,此数值不可过大或过小,否则就会影响到内存运行的稳定性。
总结一下就是:CAS Latency 决定了接收寻址命令到数据进行真正被读取所花费的时间。RAS to CAS决定了行寻址至列寻址之间的延迟。RAS Precharge则决定了相同行寻址中不同工作的转换间隔。Tras控制了内存预充电和有效指令之间的时间差。而真正关系到内存性能的也就是CAS Latency、RAS toCAS和RAS Precharge三个延迟参数。在很多超频报告中,一般会说明内存参数为X-X-X-X,例如3-4-4-8,就是表明这个系统的内存参数设置为CL=3,RAS to CAS=4,RAS Precharge=4,Tras=8。
Command Rate
K8处理器的出现使得内存控制器第一次被整合进了CPU,其控制能力也得到了最大化加强。这就使得一些以前鲜为人知的延迟选项得以公开,最引人注目的就是"首命令延迟" Command Rate。DDR内存在寻址时,先要接收CPU的指令,然后才是行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指内存在接收CPU的指令之前的等待时间(此时间过后就是CL延迟),单位是时钟周期T。很显然,这个等待时间是越短越好。但当随着主板上内存模组的增多,控制芯片组的负载也随之增加,过短的命令间隔可能会影响稳定性。至于Command Rate对系统性能能产生多大的影响,我们会在后面进行详细的对比测试。
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为了帮助初涉超频的玩家尽快熟悉超频内存要用到的参数,我们以G.SKILL 1GB GH内存参数设置为例进行讲解,希望能给大家在超频过程中带来些许帮助。
测试选用了NF4平台,主板为DFI Lanparty NF4-D。LanParty系列是DFI专为超频玩家打造的主板,可谓K8平台超频最强板。而Opteron146 采用90nm的工艺制程,大多在风冷状态下达到2.8G堪比AMD单核王者FX57。性能自不用说,DFI主板的品质也是十分有保证的,这种组合可以保证测试的稳定性。
下面我们来看下这次测试的主角――G.SKILL 1GB GH 512MB×2双通道包装采用华邦UTT颗粒,在默认2.7V~2.9V的超低电压下有着默认DDR400 2-2-2-5的低延迟的时续。
启动进BIOS后,首先要调节HyperTransport(下文简称HT)频率,HT频率与CPU频率类似,分为倍频和外频两部分。HT总被很多人误解成系统总线FSB,所以不少人总是希望能够尽可能的把HT超至一个比较高的状态。HT超频对于性能的影响微不足道,而且HT频率的提高会影响整个超频的成败。事实上许多超频失败的情况,都是由于在超频时没有降低HT倍频造成的。
为了超频的稳定,我们首先将HT倍频降为x3,C&Q关闭,CPU电压请根据体质设定为1.450v,内存电压加至3.3v,"DRAM+03V If it's not 3.2V"设为Enabled。高压是BH5/UTT颗粒独有的特性,你不用担心3.3v会太高,这才是刚刚起步。电压对内存超频至关重要,很多时候并不是越高越好,有时候甚至是违反常理的。比如早期的BH5在2-2-2-5 4V可以稳定运行所有测试软件,而近期的UTT加到3.9v反而不能进系统,这些只有自己多试验才会发现。BH5/UTT推荐3.3v~3.6v电压,BH5上限可到4v,UTT略低为3.8v。超频过程中请做好内存散热,以烧毁硬件设备,而且不建议在高电压下长期超频运行。
CPC Enable这个参数就是大家所说的Command Rate 1T。Tcl 2对于其他颗粒来说,放宽会达到更好的稳定性以求更高的频率,而BH5/UTT颗粒设为3会导致无法开机;Trcd 2、Tras 5、Trp 2、Tref Auto,上述为BH5/UTT的标准设置。如果这样可以稳定的话,我们还可以把Trfc进一步调低,BH5/UTT最低为12,设置为15会更加稳定,这个参数对SuperPI的影响很大。此外,没有提到的参数请不要擅自改动。
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关于每个小参的选项意义,下面用表格来系统整理一下:
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(出处:http://www.zzzyk.com/)
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