全缓冲内存模组 FB-DIMM内存

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　　为了适应计算机技术的飞速发展，提高内存子系统的发展空间，在今年的春季IDF上，英特尔公布了一种全新的内存体系—FB-DIMM（Fully Buffered DIMM，全缓冲内存模组），以解决普通的DDR 与 Registered DDR内存发展的局限性。

　　那么，FB-DIMM内存技术的实现原理是什么，它将会给我们带来怎样的性能？对于这些问题，本文将提供给你一个答案。

FB-DIMM内存技术实现原理

　　首先需要说明的是，FB-DIMM是Intel开发的一种内存模组技术，并不是一种新的内存芯片技术，但这一技术改变了内存子系统的体系架构。该系统架构如图所示，类似于PCI EXPress的信号总线是与传统DIMM的最大不同。
　　FB-DIMM内存和目前市场上的DDR内存相似，唯一的区别是中间的方形芯片。但实际上，两者有着截然不同的运作机理。首先，DIMM与内存控制器之间的数据与命令传输不再是传统的并行线路，而采用了类似于PCI-Express的串行接口多路并联的设计，以串行的方式进行数据传输。

FB-DIMM在这一方面与PCI-Express有很大的相似点：

　　第一点，两者均使用差分信号技术，通过一对线路来表达一个信号，即信号是“0”或“1”由这两条线路的电压差来决定。即便有严重的干扰使这对线路传输信号的电压差发生较大范围的波动，它们的电压差仍可保持相对固定，抗干扰能力大大强于单线传输信号的传统技术。
　　第二点，二者都采用了点对点的传输结构。在内存控制器与FB-DIMM缓冲芯片内都有专门的发送和接收控制单元，数据读出和写入操作可以在一个周期内同时进行，相互不干扰，这相当于将内存系统的延迟时间缩短了一半，对性能提升有着不可低估的作用。

　　其次，在FB-DIMM内存上增加了一枚缓冲芯片，它的正式名称为“Advanced Memory Buffer(高级内存缓存，简称AMB)。实际上，AMB并非只是一枚简单的缓冲芯片，它主要承担三方面的功能：一是与北桥芯片中的内存控制器连接，令数据在内存缓冲与控制器之间传送；二是负责并-串数据的转换和读写控制；三是具备相互通讯的职能，因为它要始终承担着数据传输和读写的中介工作，不同的FB-DIMM内存模组必须通过这枚芯片才能够交换信息。

　　从上面的介绍中，我们知道每个DRAM芯片不再直接与内存控制器进行数据交换。事实上，除了时钟信号与系统管理总线（SMBus）的访问，其他的命令与数据的I/O都要经过位于DIMM上的AMB（图下面中间的方形芯片）的中转，从而解决了传统DIMM模组 “短线连接”的拓扑结构带来的弊端，如下图所示。

            
                        
            
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这一点与我们所知的各类内存模组都有很大差异。由于采用串行连接，可以用更少的引脚建立更多的内存通道，也是由于串行连接，还可以使通道内的芯片容量大幅度增加，从而扩大了内存子系统的容量。            
（出处：http://www.zzzyk.com/）

            
              
                 
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