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随着本周Computex 2006在中国台北开幕，众多新奇IT产品齐聚一堂，真是另我们眼花缭乱。其中包括威刚、Elixir在内知名内存厂商更是将最尖端DDR3内存展出亮相，极限频率竟然可以运行在1600MHz！在感叹内存技术飞速进步的同时，另一方面很容易让我们与AMD刚刚公布的下一代K8L架构联系到一起，似乎在内存规范方面，AMD这次终于走在了Intel前面。DDR3内存强在哪里？会在短期内成为主流吗？那么下面，便让我们带您来揭开DDR3内存的神秘面纱。
Elixir DDR3内存模组亮相Computex 2006
首先从表面规格来看，DDR3仍将沿用FBGA封装方式，故在生产面上将与DDR2无异。但是由设计的角度上来看，因DDR3的起跳工作频率在1066MHz，这在电路布局上将是一大挑战，因此也将反映到PCB上增加模块的成本。
目前JEDEC所公布之DDR与DDR2 PCB公板皆采用六层板之设计 (non ECC U-DIMM)，但因DDR2采FBGA封装，故PCB钻孔数(Via)会增加，此外、BGA之球距(pitch)要有良好的控制以及PCB电测之难度将提高，以上等等因素都会反映在模块的成本结构上，以目前DDR2 PCB之报价相较DDR PCB之报价多约30%~40%，未来PCB成本增加也发生在DDR3世代上。
不过，只要能够很好的控制PCB成本，DDR3和DDR2的价格差距便会逐渐缩小，这时就有一个问题出现了。内存有没有可能像显卡显存那样很快的转换到DDR3呢？我们来看一下。
问：显卡上都是3.3ns、2.8ns的颗粒，那为什么内存颗粒5ns基本上已经是极限了呢？显卡已经放弃了发热量大，功耗高的DDR2颗粒，而改用发热量小，功耗更低的DDR3，但为什么内存却要向着DDR2发展呢？
答：内存（显存）颗粒的频率主要由两方面决定：一是工艺制程，频率越高要求工艺越严格，相应的成本也会提高；二是布线的结构，布线越长，电磁干扰也就越大，越不利于频率的提高。综合成本和结构两方面的考虑，显存颗粒的速度要明显快于内存颗粒。显卡使用的高速显存GDDR是一种专门针对显卡的DDR内存，它是“Graphics Double Data Rate DRAM”的缩写。
[page_break] GDDR2是基于DDR2构建的显存，但是由于工作电压高（2.5V）、功耗较大而被很快淘汰，其的继任者GDDR3同样也是基于DDR2构建，所不同的是工作电压降为1.8V，功耗更小。
● DDR3内存有何具体特点
早在2002年6月28日，JEDEC就宣布开始开发DDR3内存标准，但从目前的情况来看，DDR2才刚开始普及，DDR3标准更是连影也没见到。不过目前已经有众多厂商拿出了自己的DDR3解决方案，纷纷宣布成功开发出了DDR3内存芯片，从中我们仿佛能感觉到DDR3临近的脚步。而从已经有芯片可以生产出来这一点来看，DDR3的标准设计工作也已经接近尾声。
半导体市场调查机构iSuppli预测DDR3内存将会在2008年替代DDR2成为市场上的主流产品，iSuppli认为在那个时候DDR3的市场份额将达到55%。不过，就具体的设计来看，DDR3与DDR2的基础架构并没有本质的不同。从某种角度讲，DDR3是为了解决DDR2发展所面临的限制而催生的产物。
由于DDR2的数据传输频率发展到800MHz时，其内核工作频率已经达到200MHz，因此再向上提升较为困难，这就需要采用新的技术来保证速度的可持续发展性。另一方面，也是由于速度提高的缘故，内存的地址/命令与控制总线需要有全新的拓朴结构，而且业界也要求内存要具有更低的能耗，所以，DDR3要满足的需求就是：
1、更高的外部数据传输率
2、更先进的地址/命令与控制总线的拓朴架构
3、在保证性能的同时将能耗进一步降低
4、为了满足上述要求，DDR3在DDR2的基础上采用了以下新型设计：
8bit预取设计，DDR2为4bit预取，这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8，DDR3-800的核心工作频率只有100MHz，采用点对点的拓朴架构，减轻地址/命令与控制总线的负担。
采用100nm以下的生产工艺，将工作电压从1.8V降至1.5V，增加异步重置（Reset）与ZQ校准功能。
下面我们通过DDR3与DDR2的对比，来更好的了解这一未来的DDR SDRAM家族的最新成员。（出处：http://www.zzzyk.com/）
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